二次離子質(zhì)譜( Secondary-ion mass spectrometry，SIMS) 是一種固體原位微區(qū)分析技術(shù)，具有高分辨率、高精度、高靈敏等特征，廣泛應(yīng)用于地球化學(xué)、天體化學(xué)、半導(dǎo)體工業(yè)、生物等研究中。本文主要闡明了SIMS 技術(shù)的原理、儀器類型，簡(jiǎn)要介紹了其主要應(yīng)用，分析了其特點(diǎn)。

二次離子質(zhì)譜儀(Secondary-ion mass spectrometry，SIMS)也稱離子探針，是一種使用離子束轟擊的方式使樣品電離，進(jìn)而分析樣品元素同位素組成和豐度的儀器，是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。檢出限一般為ppm-ppb級(jí)，空間分辨率可達(dá)亞微米級(jí)，深度分辨率可達(dá)納米級(jí)。被廣泛應(yīng)用于化學(xué)、物理學(xué)、生物學(xué)、材料科學(xué)、電子等領(lǐng)域。

SIMS分析技術(shù)

一定能量的離子打到固體表面會(huì)引起表面原子、分子或原子團(tuán)的二次發(fā)射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負(fù)電荷，這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜[1,2]。

離子探針實(shí)際上就是固體質(zhì)譜儀，它由兩部分組成：主離子源和二次離子質(zhì)譜分析儀。常見的主離子源有Ar＋、Xe＋、O-、O2+、Cs+、Ga+……從離子源引出的帶電離子如Cs+、或Ga+等被加速至keV～MeV能量，被聚焦后轟擊樣品表面。

高能離子進(jìn)入樣品后，一部分入射離子被大角度反彈出射，即發(fā)生背散射，而另一部分則可以深入到多個(gè)原子層，與晶格原子發(fā)生彈性或非彈性碰撞。這一過程中，離子所帶能量部分或全部轉(zhuǎn)移至樣品原子，使其發(fā)生晶格移位、激發(fā)或引起化學(xué)反應(yīng)。經(jīng)過一系列的級(jí)聯(lián)碰撞，表面的原子或原子團(tuán)就有可能吸收能量而從表面出射，這一過程稱為離子濺射。

濺射出的粒子大部分為電中性，只有小部分是帶電的離子、分子或團(tuán)簇。攜帶了樣品表面成分信息的二次離子出射之后，被引出電場(chǎng)加速后進(jìn)入分析系統(tǒng)并被探測(cè)器所記錄。經(jīng)過計(jì)算機(jī)分析，就可以得到關(guān)于表面信息的能譜。譜中的計(jì)數(shù)與樣品的各種成分原子濃度有關(guān)，通過與標(biāo)準(zhǔn)樣品的對(duì)比，就可以得到待測(cè)樣品中的原子濃度。

發(fā)生離子濺射時(shí)，描述濺射現(xiàn)象的主要參數(shù)是濺射閾能和濺射產(chǎn)額。濺射閾能指的是開始出現(xiàn)濺射時(shí)，初級(jí)離子所需的能量。濺射產(chǎn)額決定接收到的二次離子的多少，它與入射離子能量、入射角度、原子序數(shù)均有一定的關(guān)系，并與靶材晶格取向有關(guān)。

SIMS儀器類型

根據(jù)微區(qū)分析能力和數(shù)據(jù)處理方式，可以將SIMS分為三種類型：

(1)非成像型離子探針。用于側(cè)向均勻分布樣品的縱向剖析或?qū)�樣品最外表面層進(jìn)行特殊研究；

(2)掃描成像型離子探針。利用束斑直徑小于10Lm的一次離子束在樣品表面作電視形式的光柵掃描，實(shí)現(xiàn)成像和元素分析；

(3)直接成像型離子顯微鏡。以較寬(5～300Lm)的一次離子束為激發(fā)源，用一組離子光學(xué)透鏡獲得點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的顯微功能。

根據(jù)一次束能量和分析縱向，二次離子質(zhì)譜可分為靜態(tài)二次離子質(zhì)譜(SSIMS)和動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜(DSIMS)兩種。SSISM一般都采用流強(qiáng)較低的初級(jí)離子束，轟擊僅影響表面原子層，對(duì)樣品的損傷可忽略不計(jì)，被稱為是靜態(tài)二次離子質(zhì)譜。相反，DSISM則一般使用流強(qiáng)較大的初級(jí)離子束，將樣品原子逐層剝離，從而實(shí)現(xiàn)深層原子濃度的測(cè)量，因此也被稱為動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜。

二次離子質(zhì)譜的主要應(yīng)用

根據(jù)工作模式的不同，二次離子質(zhì)譜要有3個(gè)方面的應(yīng)用，分別是表面質(zhì)譜、表面成像和深度剖析。

（1）元素及同位素分析

（2）表面質(zhì)譜

（3）表面成像

（4）深度剖析

SIMS的特點(diǎn)

SIMS的主要優(yōu)點(diǎn)：

(1)在超高真空下(<10-7Pa)進(jìn)行測(cè)試，可以確保得到樣品表層的真實(shí)信息；

(2)原則上可以完成周期表中幾乎所有元素的低濃度半定量分析；

(3)可檢測(cè)同位素；

(4)可分析化合物；

(5)具有高的空間分辨率；

(6)可逐層剝離實(shí)現(xiàn)各成分的縱向剖析，連續(xù)研究實(shí)現(xiàn)信息縱向大約為一個(gè)原子層；

(7)檢測(cè)靈敏度高。

當(dāng)然，SIMS自身也存在一定的局限性，主要在于：

(1)分析絕緣樣品必須經(jīng)過特殊處理；

(2)樣品組成的不均勻性和樣品表面的光滑程度對(duì)分析結(jié)果影響很大；

(3)濺射出的樣品物質(zhì)在鄰近的機(jī)械零件和離子光學(xué)部件上的沉積會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的記憶效應(yīng)。

結(jié)語

二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術(shù)是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。它作為目前最為先進(jìn)的微區(qū)分析手段，已經(jīng)得到了令人矚目的發(fā)展。隨著SIMS技術(shù)的不斷發(fā)展，在化學(xué)、物理學(xué)、生物學(xué)、材料科學(xué)、電子、地球科學(xué)方面的應(yīng)用越來越廣泛，對(duì)SIMS技術(shù)的應(yīng)用的探究也越來越多。相信其將在地球科學(xué)研究方面做出重大的貢獻(xiàn)。